半導體材料電阻率測試確保惡劣溫度下汽車零部件的試驗是其性能穩(wěn)定的關(guān)鍵？

產(chǎn)品概述：

高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測試技術(shù)用于預測EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負阻性的特征，電阻（率）隨著溫度的上升而下降，HTRB性能之間的相關(guān)性表明，隨著溫度的上升電阻率越下降嚴重，而HTRB性能越差，因此，材料的電阻率是HTRB失效測量的一個關(guān)鍵測量手段。關(guān)于環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）高低溫測試技術(shù)，已證明此測試方式是有效的，同時加速國產(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無錫凱華、中科科化、飛凱材料等企業(yè)。

應用場景：

電子元器件：在電子產(chǎn)品中，電容器、電阻器、半導體器件等需要在不同溫度下進行試驗，以評估其性能和可靠性。例如，鋰電池和太陽能電池在高低溫環(huán)境下的表現(xiàn)直接影響其應用效果，因此需要進行高低溫試驗；新能源材料：對于新能源材料如鋰電池和太陽能電池，高低溫試驗尤為重要。這些材料在惡劣溫度下的性能表現(xiàn)直接關(guān)系到其實際應用效果和壽命；汽車零部件：汽車零部件需要在不同的氣候條件下進行試驗，以評估其耐用性和可靠性。車輛在不同氣候條件下會

遇到各種惡劣溫度，因此汽車零部件的高低溫試驗是確保其性能穩(wěn)定的關(guān)鍵；半導體材料：半導體材料的電阻率測試在高低溫條件下進行，可以用于測量硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）等材料的電阻率。這種測試方法廣泛應用于半導體材料的研發(fā)和生產(chǎn)過程中。

1、消除電網(wǎng)諧波對采集精度的影響

在超高阻、弱信號測量過程中、輸入偏置電流和泄漏電流都會引起測量誤差。同時電網(wǎng)中大量使用變頻器等高頻、高功率設(shè)備，將對電網(wǎng)造成諧波干擾。以致影響弱信號的采集，華測儀器公司推出的抗干擾模塊以及用最新測試分析技術(shù),實現(xiàn)了高達1fA(10-15 A)的測量分辨率,從而滿足了很多半導體,功能材料和納米器件的測試需求。

2、消除不規(guī)則輸入的自動平均值功能,更強數(shù)據(jù)處理及內(nèi)部屏蔽

自動平均值是檢測電流的變化，并自動將其進行平均化的功能， 在查看測量結(jié)果的同時不需要改變設(shè)置。通過自動排除充電電流的過渡響應時或接觸不穩(wěn)定導致偏差較大。電流輸入端口全新采用大口徑三軸連接器，是將內(nèi)部屏蔽連接至GUARD(COM)線，外部屏蔽連接至GROUND的3層同軸設(shè)計。兼顧抗干擾的穩(wěn)定性和高壓檢查時的安全性。

3、強大的操作軟件

測試系統(tǒng)的軟件平臺 Huacepro ，基于labview系統(tǒng)開發(fā)，符合功能材料的各項測試需求，具備強大的穩(wěn)定性與操作安全性，并具備斷電資料的保存功能，圖像資料也可保存恢復。支持最新的國際標準，兼容XP、win7、win10系統(tǒng)。

產(chǎn)品參數(shù)：

設(shè)備型號：SIR-450

溫度范圍：-185 ~ 350 °C

控溫精度：0.5 °C

升溫斜率：10°C/min（可設(shè)定）

電阻：1×10¹⁶Ω

電阻率：1×10³ Ω ~ 1×10¹⁶Ω

輸入電壓：220V

樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

電極材料：黃銅或銀

夾具輔助材料：99氧化鋁陶瓷

絕緣材料：99氧化鋁陶瓷

測試功能：高低溫電阻率

數(shù)據(jù)傳輸：RS-232

設(shè)備尺寸：180 x 210 x 50mm